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        [常見問題解答]碳化硅襯底 BOW/WARP 測量中的環吸方案優勢與局限分析[ 2025-01-16 11:50 ]
        碳化硅(SiC)材料在電力電子和射頻設備中的廣泛應用使得電路板質量的準確測量變得尤為重要。BOW和WARP是測量基板變形的重要因素。這些參數對后續制造過程的產量和產品性能起著至關重要的作用。在各種吸附系統中,環吸附系統由于其設計特點而顯示出許多優點,但也具有一定的局限性。一、環吸法核心原理環吸法是將真空吸附裝置放置在碳化硅襯底邊緣的環狀區域內,利用局部吸力穩定襯底。這樣的設計避免了對板子的中心區域進行直接壓力。這使得內部張力和變形可以更加自然地表達。測量裝置中采用環吸式邊吸方式固定基板,為準確測量BOW和WARP創
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