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        [常見問題解答]IGBT模塊穩中求進：散熱設計驅動封裝質量全面躍升[
                                        2025-03-28 12:27
                                        ]
        
                                
        
                                    在高功率電子應用快速發展的背景下，IGBT模塊作為關鍵能量轉換組件，正面臨性能密度持續提升、熱應力驟增的雙重挑戰。尤其在軌道交通、新能源發電、工業驅動等對可靠性要求極高的場景中，封裝質量已成為影響模塊整體性能和使用壽命的核心因素。而散熱設計，作為封裝工藝中的“隱性支柱”，正在悄然主導IGBT模塊從傳統到高端的躍遷之路。功率器件在運行過程中不可避免地產生大量熱量，如果熱量不能及時有效釋放，器件結溫將迅速升高，從而加速芯片老化、引發焊點失效，最終導致模塊失效。因此，提升散熱能力，不僅僅是優化IG
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/igbtmkwzqj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]芯片失效原因深度解析及預防策略[
                                        2024-12-24 10:51
                                        ]
        
                                
        
                                    芯片是現代科技設備的核心部件，其可靠性直接影響設備的性能和壽命。然而，在復雜的工作環境中，不可避免地會出現錯誤。了解芯片故障的原因并制定有效的預防策略，提高可靠性和延長芯片壽命非常重要。本文首先從故障原因分析結合實際預防措施來全面研究芯片故障這一重要課題。一、物理故障芯片受各種物理因素的影響。熱應力、電遷移和材料老化是物理故障的常見原因。例如，在高溫環境下運行芯片可能會導致電遷移，從而使結更容易受到損壞或短路。二、化學失效芯片化學失效主要是氧化和腐蝕造成的。長時間與氧氣和濕氣接觸，會使芯片內部的金屬材料發生氧化反應
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/xpsxyysdjx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]突破性SiC失效檢測方案：如何精準定位故障根源[
                                        2024-12-13 11:39
                                        ]
        
                                
        
                                    隨著功率半導體技術的不斷發展，碳化硅（SiC）材料以其優異的電性能、耐高溫、耐輻射等優點，廣泛應用于現代能源、汽車、通信等領域。對于高功率和高頻應用，SiC器件顯示出顯著的優勢。然而，SiC器件在高電壓、大電流等極端工作條件下的失效問題仍然是亟待解決的問題，其根本原因已成為半導體行業的重要研究課題。二、SiC器件的故障特征SiC作為第三代半導體材料，與傳統硅相比具有顯著改進。它更大的帶隙使其能夠在更高的電壓和溫度下工作，而更高的導熱率使其能夠承受更大的熱應力。然而，高溫和頻繁開關使SiC器件容易出現故障、過熱等問題
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/tpxsicsxjc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]半導體溫度循環測試的標準與挑戰：精確控制的關鍵[
                                        2024-12-02 12:18
                                        ]
        
                                
        
                                    隨著科學技術的快速發展，半導體材料在現代電子產品中變得越來越重要，特別是在集成電路、微處理器、傳感器等核心領域，保證這些半導體元件在極端溫度環境下的穩定性和可靠性越來越多地被使用。溫度循環測試已成為重要的一步。此類測試主要在各種溫度條件下進行，以評估組件在實際應用中可能遭受的熱應力和溫度變化及其對組件性能和使用壽命的影響，模擬組件的工作條件。 然而，執行半導體溫度循環測試并不是一件容易的事，需要許多敏感的標準和控制要求。本文回顧了半導體溫度循環測試標準，分析了常見的測試挑戰，并探討了如何實現精確的溫度控制以提高測試
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/bdtwdxhcsd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET-場效應晶體管適用于熱插拔及電子熔絲應用的任何電流范圍[
                                        2020-04-29 11:53
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                                    MOSFET-場效應晶體管適用于熱插拔及電子熔絲應用的任何電流范圍MPS提供可擴展的均流電子熔絲解決方案，內置MOSFET（場效應晶體管），電流和溫度檢測，軟啟動斜坡控制和保護功能。在典型的熱插拔或電子保險絲（電子保險絲）應用中，在選擇MOSFET（場效應晶體管）時必須非常小心，以確保在軟啟動（SS）轉向期間不超過器件的安全工作區（SOA） - 上。即使多個MOSFET并聯，軟啟動條件也會產生大量的熱應力。通常，在熱插拔和電子熔絲應用中使用分立MOSFET時，假設只有一個MOSFET-場效應晶體管傳導整個軟啟動電流
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetcxyj_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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