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        [常見問題解答]漏極電壓與溝道關系:MOS管溝道為何在電壓增大時變窄?[ 2024-10-23 16:05 ]
        MOSFET是電子電路中常用的半導體器件,利用電場來控制導電通道的形成和電流的流動。隨著漏極電壓的增加,溝道寬度的變化對器件性能產生顯著影響,特別是在高頻電路和電力電子領域。MOS管的溝道會隨著漏極電壓的增加而變窄,其背后的物理機制是多方面的。一、MOS管的基本工作原理要了解漏極電壓對溝道的影響,我們首先需要了解MOS管是如何由柵極、漏極、源極和襯底組成的。MOS管的類型為n型源漏摻雜區,襯底通常為p型半導體,柵極通過氧化層與襯底絕緣,形成絕緣柵結構。當在柵電極之間施加電壓時,柵極下方的基板區域由于電場的作用而形成
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