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        [常見問題解答]MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計:柵極電流為何要超大盡管柵-源阻抗高?[ 2025-01-07 10:51 ]
        在現(xiàn)代電子設(shè)計中,MOSFET(場效應(yīng)晶體管)廣泛用于功率控制、信號放大以及數(shù)字電路中的關(guān)鍵開關(guān)元件。然而,設(shè)計MOSFET驅(qū)動電路時存在一些常見問題。由于 MOSFET 器件通常具有較大的柵源阻抗,為什么我們在驅(qū)動這些器件時需要保持較大的柵極電流?一、MOSFET 和晶體管之間的根本區(qū)別為了更好地理解這個問題,我們必須首先比較 MOSFET 和傳統(tǒng)三極管的工作原理。三極管是一種限流器件,依靠基極電流來控制集電極電流,MOSFET是穩(wěn)壓器。受控設(shè)備。換句話說,MOSFET 的控制信號通過柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間
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        [常見問題解答]晶閘管門極觸發(fā)電壓限制:最高允許值解析[ 2024-10-08 14:31 ]
        晶閘管,也稱為可控硅整流器(SCR),是電力電子中非常重要的半導體器件。它通過控制柵極電壓實現(xiàn)導通或關(guān)斷,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、功率控制、AC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,詳細分析柵極觸發(fā)電壓的正確設(shè)置,特別是最大允許值及其相關(guān)因素,對于晶閘管的安全高效運行非常重要。一、什么是柵極觸發(fā)電壓柵極觸發(fā)電壓是指晶閘管由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)時,柵極與陰極之間存在的最小電壓值。該電壓通過控制柵極電流來觸發(fā)晶閘管的內(nèi)部電流傳輸。如果觸發(fā)電壓不足,晶閘管將保持關(guān)斷狀態(tài),無法導通電流。然而,過高的電壓可能會損壞設(shè)備或?qū)е抡麄€電路
        http://www.kannic.com/Article/jzgmjcfdyx_1.html3星
        [常見問題解答]全面了解N溝道增強型MOSFET:優(yōu)點、缺點及應(yīng)用前景[ 2024-09-27 14:40 ]
        N溝道增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是現(xiàn)代電子器件中不可或缺的組成部分。它的設(shè)計與功能使其在許多應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將深入探討N溝道增強型MOSFET的優(yōu)缺點以及未來的應(yīng)用前景。一、優(yōu)點1. 高輸入阻抗N溝道增強型MOSFET的柵極與溝道之間隔離著一層絕緣材料(如二氧化硅),這使得其輸入阻抗極高,幾乎不消耗柵極電流。這一特性使得MOSFET在信號放大和開關(guān)應(yīng)用中,能夠有效維護信號的完整性和穩(wěn)定性。2. 低開關(guān)損耗與其他類型的開
        http://www.kannic.com/Article/qmljngdzqx_1.html3星
        [常見問題解答]如何用雙向可控硅觸發(fā)電路的原理圖介紹[ 2024-01-31 17:46 ]
        如何用雙向可控硅觸發(fā)電路的原理圖介紹當觸發(fā)器件所需的柵極電流高于控制電路輸出電流能力時,必須放大控制電路輸出電流。例如,如今許多 MCU 的輸出引腳的電流能力約為 30 mA。借助 IGT,他們可以安全地切換高達 15 至 20 mA 的雙向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必須由此類 MCU 控制,則以下是兩種解決方案。首先,并聯(lián)使用多個 MCU 輸出引腳(最好是在每個輸出引腳和 Triac 柵極之間使用單獨的柵極電阻,以確保每個引腳之間良好的電流重新分配)。其次,使用如下示意圖所示
        http://www.kannic.com/Article/rhysxkkgcf_1.html3星
        [常見問題解答]電路設(shè)計,可控硅電路如何觸發(fā)的方法原理介紹[ 2023-12-12 18:56 ]
        電路設(shè)計,可控硅電路如何觸發(fā)的方法原理介紹在設(shè)計可控硅(SCR)觸發(fā)電路時,可控硅(SCR)整個區(qū)域的運行很大程度上取決于其觸發(fā)方式。在進行電路設(shè)計時,需要特別注意確保沒有誤觸發(fā),同時確保晶閘管在需要時觸發(fā)。在可控硅(SCR)觸發(fā)中,包括柵極驅(qū)動要求(如果使用柵極觸發(fā))、觸發(fā)時間(需要保持所施加的觸發(fā)激勵時間以使電路鎖存)等各個方面都很重要,各種參數(shù)的重要性取決于所使用的可控硅( SCR )觸發(fā)形式。可控硅(SCR)觸發(fā)方法總結(jié)可控硅的觸發(fā)主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的變量。當向可控硅施加電壓時,如果陽
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        [常見問題解答]怎么觸發(fā)導通可控硅介紹[ 2023-05-15 16:35 ]
        怎么觸發(fā)導通可控硅介紹可控硅可以通過控制電壓或電流來觸發(fā)導通。當電壓或電流達到一定的閾值時,可控硅就會導通,從而控制電流的方向和大小。可控硅還可以用來控制電路的功率,從而控制電路的輸出功率。此外,可控硅還可以用來控制電路的頻率,從而控制電路的輸出頻率。可控硅觸發(fā)的工作原理是,當可控硅的觸發(fā)信號達到一定的閾值時,可控硅就會導通,從而控制電流的方向和大小。可控硅觸發(fā)可以更快地控制電流的方向和大小,因此可以更有效地控制電路的輸出功率和頻率。可控硅(SCR)觸發(fā)方法總結(jié)可控硅的觸發(fā)主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的
        http://www.kannic.com/Article/zmcfdtkkgj_1.html3星
        [常見問題解答]晶閘管和雙向可控硅介紹[ 2023-01-30 16:52 ]
        晶閘管晶閘管是一種可控整流器,其中從陽極到陰極的單向電流由從柵極到陰極的小信號電流啟動。圖 1 晶閘管原理圖符號晶閘管的工作特性如圖2所示。圖 2 晶閘管 V/I 特性打開晶閘管通過使其柵極相對于其陰極為正來導通,從而使電流流入柵極。當柵極電壓達到閾值電壓 VGT 并且產(chǎn)生的電流達到閾值電流 IGT 時,在稱為柵極控制導通時間 tgt 的非常短的時間內(nèi),負載電流可以從“a”流向“k” .如果柵極電流由非常窄的脈沖組成,比如小于 1µs,則其峰值電平將不得不
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        [常見問題解答]場效應(yīng)管放大電路特點解析[ 2021-04-24 09:55 ]
        場效應(yīng)管放大電路特點解析對應(yīng)三極管的共射、共集及共基放大電路,場效應(yīng)管放大電路也有共源、共漏和共柵三種基本組態(tài)。下面以JFET組成的共源極放大電路為例,介紹場效應(yīng)管放大電路的工作原理。1.自偏壓電路自偏壓電路如圖3-10所示。在圖中,場效應(yīng)管柵極通過柵極電阻RG接地,源極通過源極電阻RS接地。這種偏置方式利用JFET(或耗盡型MOS管)在柵源電壓uGS=0時,漏極電流iD≠0的特點,以漏極電流在源極電阻RS上的直流壓降,給柵源之間提供反向偏置電壓。也就是說,在靜態(tài)時,源極電位uS=iDRS,由于柵極電流為0,
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        [常見問題解答]MOSFET及JFET比較-如何保護mosfet設(shè)備[ 2020-04-18 16:04 ]
        MOSFET及JFET比較-如何保護mosfet設(shè)備MOSFET和JFET的比較JFET與MOSFETMOSFET 和 JFET的工作原理和電氣特性非常相似。但是,它們在某些方面有所不同,詳情如下:MOSFET與JFET1. JFET只能在耗盡模式下工作, 而MOSFET可以在耗盡或增強模式下工作。在JFET中,如果柵極正向偏置,則發(fā)生過量載流子禁令并且柵極電流很大。因此,由于過量的載流子,信道電導在某種程度上得到增強,但是由于柵極電流是不希望的,所以器件從不以柵極正向偏置操作。2. MOSFET的輸入阻抗遠高于J
        http://www.kannic.com/Article/mosfetjjfe_1.html3星

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