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[常見問題解答]多晶硅作為柵極材料的優(yōu)勢與應(yīng)用前景[ 2025-02-15 10:45 ]: 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，柵極材料的選擇對于晶體管性能和集成電路的穩(wěn)定性至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的鋁柵逐步被多晶硅柵取代，尤其是在高性能的MOSFET（氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和其他集成電路中。多晶硅作為柵極材料的應(yīng)用，已經(jīng)成為現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制造中的重要組成部分。一、多晶硅柵極的優(yōu)勢1. 優(yōu)良的電氣性能多晶硅作為柵極材料，具有顯著的電氣性能優(yōu)勢。相比傳統(tǒng)的鋁柵，多晶硅在高電壓工作條件下能夠提供更低的漏電流和更強的電流控制能力。這是因為多晶硅材料的電導(dǎo)率較低，能有效地抑制柵極漏電流，尤其是在微米級甚至納米級工藝中，表; http://www.kannic.com/Article/djgzwzjcld_1.html

[常見問題解答]MOS管泄漏電流的類型解析及產(chǎn)生原因剖析[ 2024-10-11 14:47 ]: MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電子電路必不可少的元件，應(yīng)用廣泛。然而，它被用于現(xiàn)代電子學(xué)中的各種模擬和數(shù)字電路設(shè)計。然而，這種小電流會對電路性能產(chǎn)生負(fù)面影響，并且可能是低功耗系統(tǒng)中的一個主要問題。本文詳細(xì)分析了不同類型MOS管漏電流及其產(chǎn)生的原因，以便工程師更好地了解和處理這個問題。1、MOS管漏電流的主要類型可分為以下幾種，每種類型都有不同的成因和特點。1. 柵極漏電流（Ig）柵極漏電流是指通過柵極的漏電流。當(dāng)向柵極施加高電場時，通常會發(fā)生氧化層電流滲透到襯底中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更小的工藝節(jié)點發(fā)展; http://www.kannic.com/Article/mosgxldldl_1.html

[常見問題解答]MOSFET基本結(jié)構(gòu)知識[ 2019-09-17 11:12 ]: 由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS管器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應(yīng)用相當(dāng)引人注目，因為高輸入阻抗的關(guān)系，柵極漏電流非常低，因此功率MOSFET不必像使用雙極型功率器件一樣，需要復(fù)雜的輸入驅(qū)動電路．此外，功率MOSFET的開關(guān)速度也比功率雙極型器件快很多，這是因為在關(guān)閉的過程中，MOS的單一載流子工作特性并不會有少數(shù)載流子儲存或復(fù)合的問題，圖6.43為三個基本的功率MOSFET結(jié)構(gòu)．與ULSI電路中的MOSFET器件不同的是，功率MOSFET采用源極與漏極分別在晶片上方與下; http://www.kannic.com/Article/mosfetjbjg_1.html

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