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        [常見問題解答]深入解析場效應管參數:如何評估與選擇適合的器件[ 2024-12-11 14:18 ]
        作為電壓控制的半導體元件,場效應晶體管(FET)經常用于電子設備中。其工作原理是通過柵極電壓控制源極和漏極之間的電流,使設計人員能夠為不同的應用選擇最佳的器件。本文對場效應晶體管的主要參數進行了詳細分析,并說明了如何評估和選擇最佳場效應晶體管參數。一、最大漏極電流(IDmax)最大漏極電流(IDmax)是指場效應晶體管的漏極在正常工作條件下能夠承受的最大電流值。選擇場效應管時,必須根據負載要求、工作環境和電流負載評估最大漏電流,否則可能會導致設備損壞或性能下降。例如,在功率轉換和放大電路中,需要保證所選場效應管的I
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        [常見問題解答]AO3415小信號場效應晶體管 參數規格 中文資料[ 2021-06-03 15:08 ]
        AO3415小信號場效應晶體管 參數規格 中文資料小信號場效應晶體管,4A I(D),20V,1 元件,P 溝道,硅,金屬氧化物半導體 FET,綠色封裝-3(詳細參數)參數名稱參數值是否Rohs認證符合生命周期Not Recommended針數3Reach Compliance CodecompliantECCN代碼EAR99風險等級8配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源擊穿電壓20 V最大漏極電流 (Abs) (ID)4 A最大漏極電流 (ID)4 A最大漏源導通電阻0.054 ΩFE
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        [常見問題解答]AO3401小信號場效應晶體管 參數規格 中文資料[ 2021-06-03 14:27 ]
        AO3401小信號場效應晶體管 參數規格 中文資料小信號場效應晶體管,4A I(D),30V,1 元件,P 溝道,硅,金屬氧化物半導體 FET,綠色封裝-3參數名稱參數值是否Rohs認證符合生命周期Not Recommended包裝說明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3針數3Reach Compliance CodecompliantECCN代碼EAR99風險等級5.81配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源擊穿電壓30 V最大漏極電流 (ID)4 A最大漏源導通電阻0.05
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        [常見問題解答]2586場效應管是否可用3205場效應管代替[ 2021-03-25 10:07 ]
        2586場效應管是否可用3205場效應管代替想要知道2586場效應管能不能用3205場效應管代替?2586場效應管應該指的是2SK2586,3205場效應管應該指的是IRF3205,想要知道能不能替換先要了解它們的詳細技術參數。場效應管技術參數2SK2586場效應管最高工作電壓VDSS=60V,最大漏極電流ID=60A,完全導通時內阻RDS=7mΩ,工作溫度范圍-55℃~150℃,開啟電壓VGS范圍2V~20V,飽和開啟電壓5V以上,典型值10V,開通延時35ns,關斷延時480ns。IRF3205場效應管最高工作
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        [常見問題解答]MOS管保護措施技術詳情解析[ 2020-11-16 16:24 ]
        MOS管保護措施技術詳情解析MOS管保護措施:功率MOS管的SOA曲線雖然功率MOS管有諸多優點,但在電路設計過程中,功率MOS管往往是最容易損壞的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驅動和保護問題是功率器件設計的關鍵。圖1為功率MOS管的安全工作區(SOA)曲線,晶體管的擊穿電壓決定了其最大的漏源電壓VDS ,電遷移限制確定了晶體管的最大漏極電流ID。芯片的最高工作溫度與散熱共同決定了最大的穩態功PD。圖中虛線表示的是SOA邊界,實線顯示了縮小的SOA區域,為該器件的實際情況。從圖中
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        地 址/Address

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