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[常見問題解答]解析IGBT模塊散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與熱管理技術(shù)[ 2025-04-21 15:11 ]: IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在功率電子設(shè)備中被廣泛應(yīng)用，由于其在高功率、高電壓下的工作特點(diǎn)，散熱管理成為其設(shè)計(jì)中的重要環(huán)節(jié)。有效的熱管理不僅能提升系統(tǒng)的效率，還能延長設(shè)備的使用壽命。一、散熱設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)原則IGBT模塊在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，這些熱量必須迅速有效地散發(fā)出去，否則將導(dǎo)致器件溫度過高，甚至可能導(dǎo)致?lián)p壞。散熱設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)是確保模塊的溫升控制在安全范圍內(nèi)，同時(shí)降低系統(tǒng)的能量損耗。熱管理設(shè)計(jì)通常從以下幾個(gè)方面入手：- 熱阻分析：熱阻是熱流從源頭到散熱器表面之間的阻力。合理的熱阻分配對于保證溫度均衡至關(guān); http://www.kannic.com/Article/jxigbtmksr_1.html

[常見問題解答]MOS管熱管理結(jié)構(gòu)如何干擾或改善EMC表現(xiàn)[ 2025-04-08 12:27 ]: 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，MOSFET器件以其高效率和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)控制和電源管理系統(tǒng)中。然而，在追求熱管理效果的同時(shí)，往往忽略了散熱結(jié)構(gòu)對EMC（電磁兼容性）性能所帶來的潛在影響。事實(shí)上，MOS管的熱管理設(shè)計(jì)不僅影響器件的工作溫度，還在很大程度上左右了整個(gè)系統(tǒng)的輻射和傳導(dǎo)干擾水平。一、熱管理結(jié)構(gòu)為何影響EMC表現(xiàn)散熱系統(tǒng)本質(zhì)上是與MOSFET物理連接的金屬體，其存在不可避免地會(huì)引入寄生電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)MOS管處于高頻率快速切換時(shí)，這些金屬結(jié)構(gòu)便成為耦合路徑的一部分。特別是在浮置狀態(tài)下的散熱片，很容易成; http://www.kannic.com/Article/mosgrgljgr_1.html

[常見問題解答]如何通過電路設(shè)計(jì)增強(qiáng)直流電源的電流容量[ 2024-05-29 09:43 ]: 在現(xiàn)代電子工程中，直流電源作為設(shè)備的“心臟”，其性能和電流輸出能力直接影響系統(tǒng)的運(yùn)行效果。隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，對直流電源電流輸出的需求不斷增長，因此了解如何提升直流電源的電流輸出變得尤為重要。本文將詳細(xì)探討增加直流電源電流輸出的原理、方法以及實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵考慮因素。一、提升直流電源電流輸出的基本原理直流電源的核心任務(wù)是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，并通過穩(wěn)壓電路確保輸出電壓的穩(wěn)定。提升電源的電流輸出需要增強(qiáng)電源的轉(zhuǎn)換效率和功率容量，這涉及多個(gè)方面，如功率器件的選擇、電路設(shè)計(jì)的優(yōu)化以及散熱系統(tǒng)的; http://www.kannic.com/Article/rhtgdlsjzq_1.html

[常見問題解答]IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型介紹[ 2022-09-14 17:46 ]: 功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計(jì)及使用過程中如何保證其可靠運(yùn)行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)以內(nèi)，還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進(jìn)行精確設(shè)計(jì)，才能既保證器件長期可靠運(yùn)行，又充分挖掘器件的潛力。而對功率器件及整個(gè)系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)，都是以器件及系統(tǒng)的熱路模型為基礎(chǔ)來建模分析的，本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎(chǔ)介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計(jì)。表征熱特性的物理參數(shù)有兩個(gè)：熱阻R和熱容C，熱阻R是反映物體對熱量傳導(dǎo)的阻礙效果，而熱容C則是衡量物質(zhì)所包; http://www.kannic.com/Article/igbtmkjsrx_1.html

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