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        [常見問題解答]開關(guān)電源IGBT絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動保護知識[ 2019-10-29 11:45 ]
        開關(guān)電源IGBT絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動保護IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點,又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導地位。摘要:對IGBT柵極驅(qū)動特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動電路進行了探討。提出了慢降柵壓過流保護和過電壓吸收的有效方法。 (注意現(xiàn)在新型IGBT柵極驅(qū)動特性要比以前生產(chǎn)的好許多,下面的電路圖只能作參考。)IGBT是電壓控制型器件,在它的
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        地 址/Address

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