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        [常見問題解答]離子注入技術中的暈環現象:影響因素與控制策略[ 2025-01-06 12:28 ]
        離子注入技術是影響集成電路性能的重要工藝之一,特別是在MOSFET器件的特征尺寸不斷縮小的背景下,離子注入技術變得越來越精確和可控。在離子注入過程中,光暈現象是一種顯著的物理效應,它直接影響半導體器件的性能。本文詳細介紹了暈圈現象的產生原因、影響因素以及控制策略,旨在幫助理解暈圈現象在離子注入中的作用。一、暈圈現象的基本概述光暈效應通常指在離子注入過程中,離子束的不均勻分布導致注入區域邊緣形成濃度過渡區。光暈效應與離子束的擴散和散射密切相關,尤其在半導體器件的制造中,它會引起閾值電壓的變化和寄生電容的增加,從而影響
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