PD最大耗散功率:38WID最大漏源電流:-1.2AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-500VRDS(ON)Ω內阻:10.5ΩVRDS(ON)ld通態電流:-0.6AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-3~-5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μA
立即咨詢
一、應用場景:
1. 電源管理系統:FQD1P50常用于電源管理系統中,尤其是在直流-直流轉換器和不間斷電源(UPS)中。由于其低導通電阻和高效率,能夠有效減少能量損耗,提高系統的整體效率。
2. 電機驅動器:在電機驅動領域,FQD1P50表現出色。它能夠提供穩定的電流輸出,適用于各種直流電機和步進電機的驅動。其快速的開關速度有助于提高電機的響應能力和精度。
3. 電池保護電路:FQD1P50常用于電池保護電路中,尤其是在鋰電池的充放電保護中。它的高耐壓特性和低漏電流,使得電池在過充、過放以及短路情況下能夠得到有效保護,延長電池壽命。
4. 音頻放大器:在高保真音頻設備中,FQD1P50能夠提供清晰、無失真的音頻輸出。其低噪聲特性和高線性度,使得音頻信號在放大過程中保持高品質。
5. 自動化設備:FQD1P50在自動化控制系統中有廣泛應用。它的高開關頻率和高可靠性,使其適用于各種自動化設備的控制電路,如PLC控制器、機器人控制系統等。
二、參數特點:
- 低導通電阻:FQD1P50具有極低的導通電阻(Rds(on)),這意味著在導通狀態下,電流通過時的能量損耗極小,從而提高了整體系統的效率。
- 高耐壓能力:該型號的MOSFET具有高耐壓特性,最大耐壓值可達500V。這使得FQD1P50能夠在高電壓環境下穩定工作,不易被擊穿。
- 快速開關速度:FQD1P50的開關速度非常快,典型的開關時間在幾十納秒級別。這一特點使其在需要頻繁切換的應用場景中,表現尤為出色。
- 低柵極電荷:該型號的MOSFET具有較低的柵極電荷(Qg),這意味著在驅動時所需的能量較少,有助于降低驅動電路的功耗,并提升開關效率。
- 熱穩定性強:FQD1P50具有優良的熱穩定性,能夠在高溫環境下保持穩定的性能。其熱阻低,有效降低了工作過程中產生的熱量,確保長時間工作時的可靠性。
綜上所述,FQD1P50作為一種高性能的MOSFET,憑借其低導通電阻、高耐壓、快速開關速度、低柵極電荷以及優異的熱穩定性,被廣泛應用于電源管理、電機驅動、電池保護、音頻放大以及自動化設備等領域,成為電子工程師們的優先選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號