半導(dǎo)體激光器的光電轉(zhuǎn)換效率極高，通常可以達(dá)到30%～60%，這一效率顯著超過(guò)其他激光系統(tǒng)，因此，它們?cè)诠I(yè)、醫(yī)療及通訊領(lǐng)域找到了廣泛的應(yīng)用：這些設(shè)備的尺寸較小，重量輕，便于集成與組裝。同時(shí)，由于半導(dǎo)體激光器可以自行調(diào)制輸出波形，它們也成為高速數(shù)字通信和光纖通信的基石。

在結(jié)構(gòu)與制造方面，半導(dǎo)體激光器的技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了從同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)發(fā)展到雙異質(zhì)結(jié)、量子阱、量子阱陣列，以及分布反饋型、DFB、分布布拉格反射型、DBR等多種形式。生產(chǎn)方法也從初期的擴(kuò)散法、液相外延（LPE）、氣相外延（VPE）、以及金屬有機(jī)化合物沉積（MOCVD）演進(jìn)到分子束外延（MBE）和化學(xué)束外延（CBE）等先進(jìn)技術(shù)。

在應(yīng)用方面，半導(dǎo)體激光器因?yàn)榫哂畜w積小、質(zhì)量輕、高轉(zhuǎn)換效率、節(jié)能和可直接調(diào)制等多種優(yōu)勢(shì)，已廣泛應(yīng)用于科研、工業(yè)、軍事和醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。其制造工藝與半導(dǎo)體電子器件及集成電路的生產(chǎn)工藝相兼容，便于與其他器件實(shí)現(xiàn)單片光電子集成。

對(duì)于激光技術(shù)的基本原理，當(dāng)外部能源如光或電流擊中易激發(fā)的晶體或原子時(shí)，會(huì)使電子達(dá)到高能狀態(tài)；當(dāng)電子回歸低能狀態(tài)時(shí)，原子會(huì)釋放光子以放出能量。這些釋放的光子將繼續(xù)激發(fā)更多原子，引起連鎖反應(yīng)，生成方向一致、強(qiáng)度高的光束。

半導(dǎo)體激光器的常用工作物質(zhì)包括砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）和硫化鋅（ZnS），其激勵(lì)方式主要有電注入、pump式和高能電子束激勵(lì)等。電注入方式是通過(guò)正向偏壓注入電流，激勵(lì)工作物質(zhì)，產(chǎn)生激光。Pump式激光器通過(guò)其他激光器激發(fā)，實(shí)現(xiàn)種群反演。高能電子束激勵(lì)方式則主要使用半導(dǎo)體鍺單晶，特別是PbS、CbS和ZnO。

這些激光器的優(yōu)勢(shì)不僅包括高效率和小型化，還包括成本低和長(zhǎng)壽命，使其成為在多個(gè)領(lǐng)域中的首選技術(shù)。這種技術(shù)自誕生以來(lái)，已在全球范圍內(nèi)受到廣泛關(guān)注和研究，并已成為發(fā)展最快、應(yīng)用最廣泛、最早實(shí)現(xiàn)商用化的激光器類別之一。