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來源:壹芯微 發(fā)布日期
2024-08-16 瀏覽:-1. 關(guān)斷區(qū)(反向偏壓區(qū))當二極管反向偏壓時,即陽極施加相對于陰極的負電壓時,二極管進入關(guān)斷區(qū)。非常小,幾乎為零。這是因為PN結(jié)的耗盡區(qū)變寬,并形成有效的勢壘,阻止電子和空穴的流動。停止區(qū)域的典型外觀是曲線上近似平行于水平軸的平坦部分,表明電流非常低。例如,如果將一個小二極管反向連接到電池,則萬用表測量的電流將非常接近于零,從而確認其在限制范圍內(nèi)。
2. 前向偏置區(qū)域(Forward Bias Area)該區(qū)域分為兩個分區(qū):前向死區(qū)和前向傳球區(qū)。
- 正向死區(qū):即使二極管正向偏置(陽極相對于陰極的正電壓),電流仍然很小。這是由于內(nèi)置電場造成的。 PN 結(jié)仍然存在。為了克服這個電場,它表現(xiàn)為從原點 開始緩慢上升的段
- 前向傳導區(qū)。當電壓增加超過一定值(閾值電壓)時,內(nèi)置電場被克服,電子和空穴開始自由流動,從而使電流迅速增加。這種變化在圖表上顯示為急劇上升的曲線。
3. 飽和區(qū)(Saturation Region)當二極管中的電流達到最大值并且進一步增加電壓不會增加太多時,二極管進入飽和區(qū)。該區(qū)域通常出現(xiàn)在伏安特性的高壓端,表明二極管中的電荷載流子已達到飽和。在實際應用中,例如太陽能電池板中的二極管保護電路,二極管必須避免在正常工作條件下進入飽和區(qū),以防止效率損失和過熱。
4. 擊穿區(qū)域(Breakdown Region)在極端的正向或反向偏置條件下,二極管可以進入擊穿區(qū)域。這是因為電壓太高,耗盡區(qū)寬度顯著減小,載流子迅速上升,由于雪崩效應,電流迅速增大。如上所述,在器件設(shè)計中必須避免擊穿區(qū)域,因為它可能對二極管造成永久性損壞。范圍劃分和實際測量的解釋可以讓設(shè)計人員和工程師更好地了解二極管并應用它們來確保電子設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。對每個領(lǐng)域的透徹了解使您能夠優(yōu)化電路設(shè)計并提高整體系統(tǒng)效率和可靠性。
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