1. IGCT集成門極換流晶閘管（Intergrated Gate Commutated Thyristors）:

IGCT是基于傳統晶閘管技術并融合了IGBT與GTO的先進技術而開發的一種新型電力半導體器件。這種器件主要用于大型電力電子系統，適用于高壓和大容量的變頻應用。IGCT將GTO核心芯片與反并聯二極管和門極驅動電路整合在一塊，通過與門極驅動器外圍低電感連接，有效結合了晶體管的穩定關閉能力與晶閘管的低通態損耗特性，從而實現了高電流承載、高阻斷電壓、高開關頻率和高可靠性等優點。

2. 超大功率晶閘管:

超大功率晶閘管（SCR）自面世以來，其功率處理能力已增長近3000倍。盡管自關斷器件技術的迅猛發展使其應用范圍略有縮減，晶閘管憑借其出色的高電壓和大電流處理能力，在高壓直流輸電（HVDC）、靜止無功補償（SVC）、大型直流電源以及高壓大功率的變頻調速領域依然占據重要地位。晶閘管的特性包括其門極和陰極之間的復雜交織結構、極高的承受電壓和門極對芯片總面積控制比例高達90%，這些都確保了其在導通瞬間的高性能。

3. MOS控制晶閘管MCT（MOS Controlled Thyristor）:

MCT融合了MOSFET的高輸入阻抗、低驅動功率和快速開關速度特性與晶閘管的高電壓、大電流處理能力。這種新型的MOS與雙極型復合器件，通過在門極加入短暫脈沖來實現導通與關閉，具備簡化的驅動電路和低通態壓降等優勢。MCT的高di/dt和du/dt承受能力進一步簡化了保護電路的設計，是一種理想的全控型大功率高壓器件。

4. 集成電力電子模塊IPEM（Intergrated Power Electronics Modules）:

IPEM通過將電力電子組件如MOSFET、IGBT或MCT與二極管集成在一個高導電性的陶瓷基底上，構成了一種高效的模塊化解決方案。這種集成方式不僅優化了電路布局，減少了系統的電感和噪聲，還提高了整體的系統效率和可靠性。IPEM模塊在其上層還集成了控制電路、門極驅動、電流和溫度傳感器以及保護電路，進一步實現了智能化和模塊化的電力電子技術。